Все разделы сайта
В прайсах
Где искать:
  • В прайсах
  • В объявлениях
/
/
/
/

Память Silicon Power

Цена в:
грн
Сортировать:
по популярности
Модуль памяти Silicon Power SP008GBSTU133N02

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 8 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): н

1 540 грн.
сравнить цены
Модуль памяти Silicon Power SP004GBLTU133N02

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 4 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет

935 грн.
сравнить цены
Модуль памяти Silicon Power SODIMM DDR3 4Gb 1333MHz (SP004GBSTU133V02)

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 4 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): н

Модуль памяти Silicon Power SODIMM DDR3 2Gb 1333MHz (SP002GBSTU133V02)

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): н

Модуль памяти Silicon Power SODIMM DDR3 1Gb 1333MHz (SP001GBSTU133S02)

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 9;

Модуль памяти Silicon Power SODIMM DDR3 1Gb 1066Mhz (SP001GBSTU106S02)

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 1066 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 7;

Модуль памяти Silicon Power SO-DDR2-800 2048MB (SP002GBSRU800S02)

Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 800 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 5;

Модуль памяти Silicon Power DDR3 4Gb 1600MHz (SP004GBLTU160V02)

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 4 Гб; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет

Модуль памяти Silicon Power DDR3 2x2Gb 1600Mhz (SP004GBLYU160S2B)

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 2 модуля по 2 Гб; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered):

Модуль памяти Silicon Power DDR3 2Gb 1333MHz (SP002GBLTU133V02)

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет

Модуль памяти Silicon Power DDR 512Mb 400MHz (SP512MBLDU400O02)

Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 512 Мб; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Silicon Power DDR 1Gb 400MHz (SP001GBLDU400O02)

Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Silicon Power 512Mb DDR (SP512MBSDU400O02)

Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 512 Мб; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): не

Модуль памяти Silicon Power 1Gb DDR2 (SP001GBLRU800S02)

Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 800 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 5;

Модуль памяти Silicon Power 1Gb DDR2 (SP001GBSRU800S02)

Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 800 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 5;

Модуль памяти Silicon Power 1Gb DDR3 (SP001GBLTU106S02)

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 1066 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 7;

Модуль памяти Silicon Power 1Gb DDR3 (SP001GBLTU133S02)

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 9;

Модуль памяти Silicon Power 2Gb DDR2 (SP002GBLRU800S02)

Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Silicon Power 2Gb DDR3 (SP002GBLTU133S02)

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 9;

Модуль памяти Silicon Power SP001GBLRU533S02

Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 533 МГц; Пропускная способность: 4200 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Silicon Power SP001GBSDU400O02

Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Silicon Power SP001GBSRU667S02

Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 667 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 5;

Модуль памяти Silicon Power SP001GBSRU800Q02

Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 800 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 5;

Модуль памяти Silicon Power SP002GBLTU106V02

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 1066 МГц; Пропускная способность: 8500 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Silicon Power SP002GBSRU667S02

Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет

Модуль памяти Silicon Power SP002GBSTU160V02

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): н

Модуль памяти Silicon Power SP008GBLTU133N02

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 8 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет

Модуль памяти Silicon Power SP512MBLDU333O02

Тип памяти: DDR; Форм-фактор: DIMM 184-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 512 Мб; Тактовая частота: 333 МГц; Пропускная способность: 2700 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Silicon Power SP008GBLTU160N02

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 8 Гб; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет

Модуль памяти Silicon Power SP004GBSTU106V02

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 4 Гб; Тактовая частота: 1066 МГц; Пропускная способность: 8500 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): не

Показывать: Все модели Только в продаже
1 2 Показывать:  


Выбранные фильтры
Производители
отменить все фильтры...

Подобрать по цене
грн
Производители
Все производители
Тип памяти
Назначение
Тактовая частота
Стандарт памяти
Скрыть непопулярные фильтры...