Все разделы сайта
В прайсах
Где искать:
  • В прайсах
  • В объявлениях
/
/
/
/

Память Hynix

Цена в:
грн
Сортировать:
по популярности
Модуль памяти Hynix SODIMM DDR3 2Gb 1333MHz (HMT325S6BFR8C-H9)

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): CL9;

Модуль памяти Hynix DDR3 8GB 1600MHz (H5TQ4G83MFR-H9C)

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: 240-pin DIMM; Объем комплекта: 8; Тактовая частота: 1333; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): Unbuffered; CAS Latency (CL): CL9;

Спецпредложения:
ITbox.ua • 1 243 грн.
1 243 грн.
сравнить цены
Hynix DDR2 667 DIMM 1Gb

Форм-фактор: DIMM ; Тип памяти: DDR2 ; Тактовая частота: 667 МГц ; Пропускная способность: 5300 Мб /с ; Объем: 1 модуль 1024 Мб ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registere

Hynix DDR 400 DIMM 1Gb

Форм-фактор: DIMM ; Тип памяти: DDR ; Тактовая частота: 400 МГц ; Пропускная способность: 3200 Мб /с ; Объем: 1 модуль 1024 Мб ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered

Hynix DDR 400 DIMM 256Mb

Форм-фактор: DIMM ; Тип памяти: DDR ; Тактовая частота: 400 МГц ; Пропускная способность: 3200 Мб /с ; Объем: 1 модуль 256 Мб ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered)

Hynix SDRAM 133 DIMM 512Mb

Форм-фактор: DIMM 184-контактный ; Тип памяти: SDRAM ; Тактовая частота: 133 МГц ; Объем: 1 модуль 512 Мб ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Hynix SDRAM 133 DIMM 128Mb

Форм-фактор: DIMM ; Тип памяти: SDRAM ; Тактовая частота: 133 МГц ; Объем: 1 модуль 256 Мб ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Hynix DDR 400 DIMM 512Mb

Форм-фактор: DIMM ; Тип памяти: DDR ; Тактовая частота: 400 МГц ; Пропускная способность: 3200 Мб /с ; Объем: 1 модуль 512 Мб ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered)

Hynix DDR2 667 SO-DIMM 1Gb

Форм-фактор: SODIMM 200-контактный ; Тип памяти: DDR2 ; Тактовая частота: 667 МГц ; Пропускная способность: 5300 Мб /с ; Объем: 1 модуль 1024 Мб ; Поддержка ECC: нет; Буферизо

Модуль памяти Hynix HMT351S6AFR8C-G7N0

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SO DIMM 200-контактный ; Объем комплекта: 4 Гб; Тактовая частота: 1066 МГц; Пропускная способность: 8500 Мб/с ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Hynix HYMP125F72CP8D3-Y5-C

Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный ; Объем комплекта: 2 Гб; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5400 Мб/с ; Поддержка ECC: +; Буферизованная (Registered): +;

Модуль памяти Hynix HYMP125U64CP8-S6-C

Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный ; Объем комплекта: 2 Гб; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Hynix HMT325S6BFR8C-G7N0

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 200-контактный ; Объем комплекта: 2 Гб; Тактовая частота: 1066 МГц; Пропускная способность: 8500 Мб/с ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Hynix HMT112U6AFP8C-H9N0

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный ; Объем комплекта: 1 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Hynix HMP112S6EFR6C-Y5

Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SO DIMM 200-контактный ; Объем комплекта: 1 Гб; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Hynix HYMP112U64CP8-S6-C

Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный ; Объем комплекта: 1 Гб; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Hynix HYMP125S64CP8-S6

Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SO DIMM 200-контактный ; Объем комплекта: 2 Гб; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Hynix HMT325U6BFR8C-H9

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный ; Объем комплекта: 2 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Hynix HMP351U6AFR8C-S6

Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный ; Объем комплекта: 4 Гб; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Hynix DDR2 4Gb 800MHz (HMP351S6AFR8C-S6)

Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 4 Гб; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет

Модуль памяти Hynix DDRIII 4096MB 1333MHz HMT151R7TFR4C-H9D7

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 4 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): да; CAS Latency (CL): CL9;

Модуль памяти Hynix HMP351U6AFR8C-Y5

Тип памяти: DDR2 SDRAM; Форм-фактор: 240-pin DIMM; Объем комплекта: 4 GB; Тактовая частота: 667 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): Unbuffered; CAS Latency (CL): 5;

Модуль памяти Hynix HMT351U6BFR8C-H9

Тип памяти: DDR3 SDRAM; Форм-фактор: 240-pin DIMM; Объем комплекта: 4 GB; Тактовая частота: 1333 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): Unbuffered; CAS Latency (CL): 9;

Модуль памяти Hynix HYMP112S64CP6-S6

Тип памяти: DDR2 SDRAM; Форм-фактор: 200-pin SO-DIMM; Объем комплекта: 1 GB; Тактовая частота: 800 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): Unbuffered; CAS Latency (CL): 6;

Модуль памяти  Hynix H5PS1G83EFRS6C

Тип памяти: DDR2 SDRAM; Форм-фактор: 240-pin DIMM; Объем комплекта: 2 GB; Тактовая частота: 800; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): Unbuffered; CAS Latency (CL): 6;

Модуль памяти Hynix HYMP125U64CP8-Y5

Тип памяти: DDR2 SDRAM; Форм-фактор: 240-pin DIMM; Объем комплекта: 2 GB; Тактовая частота: 667; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): Unbuffered; CAS Latency (CL): 5;

Модуль памяти Hynix HMP125U6EFR8C-S6

Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет;

Модуль памяти Hynix HMT125S6TFR8C-H9

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 12;

Модуль памяти Hynix HMT125U6AFP8C-H9

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 12;

Модуль памяти Hynix HMT125U6BFR8C-H9

Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 2 Гб; Тактовая частота: 1333 МГц; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 9;

Показывать: Все модели Только в продаже
1 2 3 Показывать:  


Выбранные фильтры
Производители
отменить все фильтры...

Подобрать по цене
грн
Производители
Все производители
Тип памяти
Назначение
Тактовая частота
Стандарт памяти
Скрыть непопулярные фильтры...