Все разделы сайта
В прайсах
Где искать:
  • В прайсах
  • В объявлениях
/
/
/
/
/
Silicon Power SP001GBSDU333O02

Silicon Power SP001GBSDU333O02

Рейтинг: Оценка: 0 звезды. Рекомендуется
Добавить отзыв

Тип памяти: DDR; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Объем комплекта: 1 модуль 1 Гб; Тактовая частота: 333 МГц; Пропускная способность: 2700 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; все характеристики

На данный момент Silicon Power SP001GBSDU333O02 нет в продаже.

Общие характеристики [ вверх ]
Тип памяти DDR
Форм-фактор SODIMM 200-контактный
Объем комплекта 1 модуль 1 Гб
Тайминги [ вверх ]
CAS Latency (CL) 2.5
RAS to CAS Delay (tRCD) н.д.
Row Precharge Delay (tRP) н.д.
Дополнительные характеристики [ вверх ]
Радиатор нет
Напряжение питания 2.5 В
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Все характеристики →
Рекомендуемые модели:
GoodRam 4Gb DDR3 1866MHz (GY1866D364L9AS/4G)
GoodRam 4Gb DDR3 1866MHz (GY1866D364L9AS/4G)
от 998 грн.
Подробнее Всего предложений: 5
GoodRam 4 GB DDR3 1600 MHz (GR1600D364L11S/4G)
GoodRam 4 GB DDR3 1600 MHz (GR1600D364L11S/4G)
от 924 грн.
Подробнее Всего предложений: 5
GoodRam GR1333D364L9/4G
GoodRam GR1333D364L9/4G
от 932 грн.
Подробнее Всего предложений: 4